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SQ2361CES-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 60V, 2.8A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2361CES-T1_GE3
No. Parte Newark85AK4813
Rango de ProductoTrenchFET Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.772 |
| 10+ | $0.507 |
| 25+ | $0.456 |
| 50+ | $0.403 |
| 100+ | $0.352 |
| 250+ | $0.317 |
| 500+ | $0.282 |
| 1000+ | $0.259 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.86
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2361CES-T1_GE3
No. Parte Newark85AK4813
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.177ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.8A
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.177ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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