Imprimir página
SQ4284EY-T1_BE3
MOSFET Dual, Canal N, 40 V, 8 A, 0.0112 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4284EY-T1_BE3
No. Parte Newark80AH8976
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
2,470 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.281 |
| 10+ | $0.281 |
| 25+ | $0.281 |
| 50+ | $0.281 |
| 100+ | $0.281 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.28
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4284EY-T1_BE3
No. Parte Newark80AH8976
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Intensidad Drenador Continua Id8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0112
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.9
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0112
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.9
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto