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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.250 |
| 10+ | $1.140 |
| 25+ | $1.050 |
| 50+ | $0.939 |
| 100+ | $0.850 |
| 250+ | $0.747 |
| 500+ | $0.657 |
| 1000+ | $0.547 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ9945CEY-T1_GE3
No. Parte Newark51AM4748
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.137ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N4W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.137ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
4W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto