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SQJ120EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 202A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ120EP-T1_GE3
No. Parte Newark20AM8160
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
3,000 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.720 |
| 10+ | $1.650 |
| 25+ | $1.510 |
| 50+ | $1.380 |
| 100+ | $1.270 |
| 250+ | $1.090 |
| 500+ | $0.957 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.72
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ120EP-T1_GE3
No. Parte Newark20AM8160
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id202A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1800µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia130W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
202A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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