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SQJQ112ER-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 100V/296A/POWERPAK 8 X 8LR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ112ER-T1_GE3
No. Parte Newark80AK5315
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 36 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.030 |
| 10+ | $4.600 |
| 25+ | $4.270 |
| 50+ | $3.950 |
| 100+ | $3.610 |
| 250+ | $3.540 |
| 500+ | $3.460 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.03
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ112ER-T1_GE3
No. Parte Newark80AK5315
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id296A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00253ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 8 x 8LR
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia600W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
296A
Diseño de Transistor
PowerPAK 8 x 8LR
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
600W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00253ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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