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SQJQ510E-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 286A, POWERPAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ510E-T1_GE3
No. Parte Newark20AM8158
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
1,660 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.780 |
| 10+ | $4.100 |
| 25+ | $3.860 |
| 50+ | $3.620 |
| 100+ | $3.390 |
| 250+ | $3.250 |
| 500+ | $3.100 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.78
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ510E-T1_GE3
No. Parte Newark20AM8158
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id286A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1860µohm
Diseño de TransistorPowerPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia348W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
286A
Diseño de Transistor
PowerPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
348W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1860µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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