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SQRS152ELP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 58A, POWERPAK SO-8SW ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQRS152ELP-T1_GE3
No. Parte Newark78AK8592
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
3,017 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 10+ | $1.340 |
| 25+ | $1.210 |
| 50+ | $1.070 |
| 100+ | $0.941 |
| 250+ | $0.872 |
| 500+ | $0.803 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQRS152ELP-T1_GE3
No. Parte Newark78AK8592
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id58A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8SW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia35W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8SW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
35W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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