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SQS120ELNW-T1_GE3
MOSFET/N-CH,/30V/192A/POWERPAK 1212-8SLW ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS120ELNW-T1_GE3
No. Parte Newark79AK7552
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
2,960 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 10+ | $1.220 |
| 25+ | $1.120 |
| 50+ | $1.030 |
| 100+ | $0.936 |
| 250+ | $0.859 |
| 500+ | $0.781 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.74
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS120ELNW-T1_GE3
No. Parte Newark79AK7552
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id192A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1800µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8SLW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia119W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
192A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8SLW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
119W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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