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SUD50P08-25L-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P08-25L-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6528
Cinta adhesiva70AC6528
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.270 | $4.27 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.27 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.270 |
| 10+ | $2.930 |
| 25+ | $2.680 |
| 50+ | $2.420 |
| 100+ | $2.170 |
| 250+ | $2.010 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P08-25L-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6528
Cinta adhesiva70AC6528
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0252
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd136W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia136
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
SUD50P08-25L-E3 is a P-channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET.
- TrenchFET® power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -80V min at VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is -1µA max at VDS = -80V, VGS = 0V, TJ = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 0.021ohm typ at VGS = -10V, ID = -12.5A, TJ = 25°C
- Continuous source-drain diode current is -50A max at TC = 25°C
- Body diode reverse recovery charge is 110nC typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Gate resistance is 4ohm typ at f = 1MHz
- Reverse recovery fall time is 37ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Reverse recovery rise time is 18ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0252
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
136W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
136
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SUD50P08-25L-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto