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SUM40014M-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark04AJ4712
Rango de ProductoThunderFET
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2,035 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.080 |
| 10+ | $3.990 |
| 25+ | $3.640 |
| 50+ | $3.290 |
| 100+ | $2.940 |
| 250+ | $2.780 |
| 500+ | $2.610 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM40014M-GE3Copiar
No. Parte Newark04AJ4712
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente990µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia375W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
990µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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