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VEMT2000X01
Fototransistor, 860 nm, 30°, 2 Pines, SMD
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVEMT2000X01
No. Parte Newark99AC4546
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.860nm
Ángulo de Visión30°
Consumo de Potencia-
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorSMD
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2A - 4 weeks
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
Fototransistor de silicio NPN adecuado para detectores en aplicaciones automotrices, fotointerruptores, interruptores en miniatura, contadores, codificadores y sensores de posición.
- Calificado AEC-Q101
- Alta sensibilidad radiante
- Filtro de bloqueo de luz natural combinado con emisores de infrarrojos de 830nm a 950nm
- Tiempos de respuesta rápidos
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
860nm
Consumo de Potencia
-
Diseño de Transistor
SMD
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Ángulo de Visión
30°
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2A - 4 weeks
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto