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VS-FC420SA10
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 435 A, 100 V, 0.00215 ohm, 10 V, 3.8 V
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-FC420SA10
No. Parte Newark80AH2791
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
1,337 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $39.770 |
| 5+ | $36.340 |
| 10+ | $35.490 |
| 25+ | $34.410 |
| 50+ | $33.610 |
| 100+ | $33.310 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-FC420SA10
No. Parte Newark80AH2791
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id435
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00215
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia652
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID > 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
435
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00215
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
652
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto