Imprimir página
VS-FC420SA10
MOSFET MODULE, N-CHANNEL, 100V, 435A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-FC420SA10
No. Parte Newark80AH2791
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
1,085 En Stock
¿Necesita más?
26 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
1059 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $37.850 |
| 5+ | $35.160 |
| 10+ | $34.300 |
| 25+ | $33.220 |
| 50+ | $32.420 |
| 100+ | $32.120 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$37.85
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-FC420SA10
No. Parte Newark80AH2791
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id435
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2150µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia652
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID > 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
435
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2150µohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8
Disipación de Potencia
652
Rango de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto