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BLS6G3135-120,112
Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B
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Información del producto
FabricanteAMPLEON
No. Parte FabricanteBLS6G3135-120,112
No. Parte Newark70R2902
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds32
Intensidad Drenador Continua Id7.2
Disipación de Potencia120
Disipación de Potencia Pd120W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.3.1
Frecuencia de Funcionamiento Máx.3.5
Diseño de TransistorSOT-502B
Encapsulado de Transistor RFSOT-502B
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
32
Disipación de Potencia
120
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
3.1
Diseño de Transistor
SOT-502B
No. de Pines
2Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Intensidad Drenador Continua Id
7.2
Disipación de Potencia Pd
120W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
3.5
Encapsulado de Transistor RF
SOT-502B
Temperatura de Trabajo Máx.
225
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto