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Información del producto
FabricanteSEMISOUTH
No. Parte FabricanteSGDR600P1
No. Parte Newark73T7074
Hoja de datos técnicos
Circuito Integrado, FabricanteSemisouth
Núcleo de Silicio, Numeración-
Kit de Aplicación, TipoDriver - Bridge
Subtipo de AplicaciónControlador FET
Núcleo, Arquitectura-
Núcleo, Subarquitectura-
Nombre de la Familia del Silicio-
Kit, ContenidoTarjeta de Diseño de Referencia SGDR600P1
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The SGDR600P1 is an opto isolated, two stage gate driver with a single output evaluation board. The driver is optimized for high speed, hard switching of SJEP120R050 and SJEP120R063 normally off SiC VJFETs. With a small modification effort it can also be used to drive the SJEP120R100, SJDP120R085, or SJDP120R045. The SGDR600P1 gate driver provides a peak output current of 6A/-3A for fast turn on transients yielding record low switching energy losses.
- Suitable for driving SJEP120R063 or SJEP120R050
- Two stage driver(switching & conduction)
- Peak gate current of 6A/-3A
- 0 to 100 percent duty cycle
- Can be modified to drive SJEP120R100, SJDP120R085, or SJDP120R045
Especificaciones técnicas
Circuito Integrado, Fabricante
Semisouth
Kit de Aplicación, Tipo
Driver - Bridge
Núcleo, Arquitectura
-
Nombre de la Familia del Silicio
-
Rango de Producto
-
Núcleo de Silicio, Numeración
-
Subtipo de Aplicación
Controlador FET
Núcleo, Subarquitectura
-
Kit, Contenido
Tarjeta de Diseño de Referencia SGDR600P1
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto