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WG40N120HFW1Q
IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark27AM4926
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232 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.550 |
| 10+ | $4.930 |
| 25+ | $4.430 |
| 50+ | $4.210 |
| 100+ | $3.760 |
| 250+ | $3.310 |
| 500+ | $3.230 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG40N120HFW1QCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark27AM4926
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.2
Disipación de Potencia750
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
WG40N120HFW1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop IGBT technology with anti-parallel diode. This device is part of the high speed series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converter. Typical applications include solar inverter, UPS, welding converters, PFC and mid to high switching frequency applications.
- High switching speed, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Very soft, fast recovery anti-parallel diode
- Collector-emitter breakdown voltage is 1200V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.3V typ at VGE = 0V; IF = 40A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 250μA max at VCE = 1200V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 200nC typ at VCC = 960V; IC = 40A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 126nS typ at Tj = 25°C;VCC = 600V; IC = 40A; VGE = 15V / 0V;RG = 3.6ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
80
Disipación de Potencia
750
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.2
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto