AS1C8M16PL-70BIN

AS1C8M16PL-70BIN es una SRAM PSEUDO de bajo consumo de 128M (pila AD-MUX *2 de 4M x 16 bits CellularRAM). Es una memoria de acceso aleatorio pseudoestática CMOS de alta velocidad desarrollada para aplicaciones portátiles de bajo consumo. El dispositivo CellularRAM de 64 Mb tiene un núcleo DRAM organizado como 4 Meg x 16 bits. Este dispositivo es una variante de la interfaz de control Flash estándar de la industria, con un bus de direcciones y datos multiplexado. Esta funcionalidad reduce drásticamente la cantidad de señales requeridas y aumenta el ancho de banda de lectura y escritura. Incluye dos mecanismos para minimizar las corrientes en espera. La actualización parcial de la matriz (PAR) permite que el sistema limite la actualización solo a aquella parte de la matriz DRAM que contiene datos esenciales. La frecuencia de actualización automática con compensación de temperatura (TCSR) utiliza un sensor en el chip para ajustar la frecuencia de actualización para que coincida con la temperatura del dispositivo; la frecuencia de actualización disminuye a temperaturas más bajas para minimizar el consumo de corriente durante el modo de espera. Se accede a los mecanismos de actualización configurables del sistema a través del RCR.

• Bus de datos/direcciones multiplexado de 16 bits, un solo dispositivo admite funcionamiento asincrónico y en ráfagas
• Voltaje VCC/VCCQ de 1.7V a 1.95V, disipación de potencia de 100µA² (en espera (ISB1, típ., 25 °C))
• El tiempo de acceso aleatorio es de 70ns, tACLK es de 7ns a 108MHz, 5.5ns a 133MHz
• Acceso de LECTURA y ESCRITURA en modo ráfaga: 4, 8, 16 o 32 palabras o ráfaga continua, ráfaga de ajuste o secuencial
• Bajo consumo de energía: lectura asíncrona: <lt/>25mA, ráfaga continua LEER: <lt/>35mA
• Acceso inicial, ráfaga de lectura: (37.0ns [4 ciclos] a 108MHz) <lt/>35mA
• Ráfaga continua LEER: Acceso inicial de <lt/>30 mA, ráfaga LECTURA: (37.5ns [5 ciclos] a 133MHz) <lt/>40mA
• Autoactualización con compensación de temperatura en chip (TCSR)
• Actualización parcial de matriz (PAR), modo de apagado profundo (DPD)
• Rango de temperatura de funcionamiento de -30 a 85 °C, bus de interfaz x16, paquete FBGA de 49 bolas