HMC415LP3E

El HMC415LP3E es un amplificador de potencia MMIC de transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP de alta eficiencia que funciona entre 4.9 y 5.9GHz. El amplificador está empaquetado en un paquete de montaje en superficie sin cables de bajo costo con una base expuesta para mejorar el rendimiento térmico y de RF. Con un mínimo de componentes externos, el amplificador proporciona 20dB de ganancia, +26dBm de potencia saturada y 34% de PAE con una tensión de alimentación de +3V. Vpd se puede utilizar para el apagado completo o el control de corriente/potencia de salida de RF. Para una potencia de salida OFDM de +15 dBm (64 QAM, 54 Mbps), el HMC415LP3 y el HMC415LP3E alcanzan una magnitud del vector de error (EVM) del 3.7% cumpliendo con los requisitos de linealidad 802.11a. Este amplificador es ideal para usar como amplificador de potencia para aplicaciones de 4.9 - 5.9GHz: WLAN 802.11a, WLAN HiperLAN, puntos de acceso y radios UNII e ISM.

• Capacidad de apagado, bajo número de piezas externas
• Rango de frecuencia de 4.9 a 5.1GHz (TA = +25 °C, Vs = 3V, Vpd = 3V)
• La ganancia es de 20dB (típico, 4,9 a 5,1 MHz, TA = +25 °C, Vs = 3 V, Vpd = 3 V)
• La variación de ganancia sobre la temperatura es de 0.04 dB/°C (típico, 4.9 a 5.1MHz, TA = +25 °C, Vs = 3 V, Vpd = 3 V)
• La pérdida de retorno de entrada es de 10 dB (típico, de 4.9 a 5.1MHz, TA = +25 °C, Vs = 3V, Vpd = 3V)
• La pérdida de retorno de salida es de 10dB (típico, de 4.9 a 5.1MHz, TA = +25 °C, Vs = 3 V, Vpd = 3 V)
• La potencia de salida para una compresión de 1 dB es de 22,5 dBm (típico, Icq = 285mA, de 4.9 a 5.1MHz)
• La potencia de salida saturada es de 25.5 dBm (típica, TA = +25 °C, Vs = 3 V, Vpd = 3 V, 4.9 a 5.1MHz)
• La intersección de tercer orden de salida es de 31 dBm (típica, TA = +25 °C, Vs = 3V, Vpd = 3V, 4.9 a 5.1MHz)
• QFN-EP de 16 pines, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85 °C

Notas

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