HMC606LC5TR

El HMC606LC5 es un amplificador distribuido de arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de indio y galio (InGaP), transistor bipolar de heterounión (HBT) y circuito integrado monolítico de microondas (MMIC), alojado en un paquete portador de chip cerámico sin cables (LCC) de 32 terminales. Con una señal de entrada de 12GHz, el amplificador proporciona un rendimiento de ruido de fase ultrabajo de -160dBc/Hz con un desplazamiento de 10KHz, lo que representa una mejora significativa con respecto a los amplificadores distribuidos basados en transistores de efecto de campo (FET). La entrada y salida del amplificador HMC606LC5 están internamente adaptadas a 50ohms y están bloqueadas internamente en CD. La aplicación incluye radares, guerra electrónica (EW) y contramedidas electrónicas (ECM), radios de microondas, instrumentación de prueba, sistemas militares y espaciales, de fibra óptica.

• Rango de frecuencia de 2 a 12GHz (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• La ganancia típica es 13.5dB (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• La figura de ruido típica es 5 dB (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• La pérdida de retorno de entrada típica es de 20 dB (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• La pérdida de retorno típica es de 15dB (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• La potencia típica para una compresión de 1dB (P1dB) es de 15dBm (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• La corriente de suministro típica es 64 mA (TA=25°C, VCC1=VCC2=5V)
• El ruido de fase típico es -140 dBc/Hz (a 100 Hz, TA=25 °C, VCC1=VCC2=5 V)
• Paquete de portador de chip sin cables de cerámica [LCC] de 32 terminales
• Rango de temperatura de -40 °C a +85°C

Notas

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