Diodos Schottky Pequeña Señal | Newark Electrónica México

Filtro(s) aplicado(s)

Estilo de la Carcasa del Diodo

:

TO-247

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	DSA70C100HB	98M0762 Data Sheet RoHS Fecha y lote	IXYS SEMICONDUCTOR Diodo Schottky de Señal Pequeña Cátodo Común Doble 100 V 35 A 740 mV 320 A 125 °C		Cada	1+ $3.700	Mín: 1/Múlt: 1	Dual Common Cathode	100V	35A	740mV	320A	125°C	TO-247	3Pines	Through Hole	DSA70
	STPS61H100CW.	28AC3428 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS Diodo Schottky de Señal Pequeña Cátodo Común Doble 100 V 60 A 930 mV 450 A 175 °C		Cada	El precio no está disponible. Contáctese con Servicio al cliente.		Cátodo Común Doble	100V	60A	930mV	450A	175°C	TO-247	3Pines	-	-

Artículos por página:

1-2 de 2 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS