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Configuración IGBT
Transistor, Polaridad
Corriente de Colector DC
Corriente del Colector Continua
Voltaje de Saturación Colector Emisor
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
Temperatura de Trabajo Máx.
Temperatura de Union, Tj Máx.
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
Diseño de Transistor
No. de Pines
Terminación del IGBT
Voltaje Máx. Colector a Emisor
Tecnología IGBT
Montaje de Transistor
Rango de Producto
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | El precio no está disponible. Contáctese con Servicio al cliente. | - | Canal N | 530A | 530A | 2.35V | 1.2kV | 150°C | 150°C | 1.2kV | SEMITRANS 4 | 5Pines | Perno | 1.2kV | - | Panel | Serie SEMITRANS 2 SKM | ||||||
Cada | 5+ $433.440 | Mín: 12/Múlt: 12 | Sencillo | - | 890A | 890A | 1.2kV | 1.2kV | 175°C | 175°C | 940mV | SEMITRANS 4 | 5Pines | Perno | 940mV | V-IGBT | Panel | - | |||||
