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1.7kV Módulos IGBT:
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Configuración IGBT
Transistor, Polaridad
Corriente del Colector Continua
Corriente de Colector DC
Voltaje de Saturación Colector Emisor
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
Disipación de Potencia
Disipación de Potencia Pd
Temperatura de Trabajo Máx.
Temperatura de Union, Tj Máx.
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
Diseño de Transistor
No. de Pines
Terminación del IGBT
Voltaje Máx. Colector a Emisor
Tecnología IGBT
Montaje de Transistor
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | ||||||||||||||||||||||
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MITSUBISHI ELECTRIC | Cada | El precio no está disponible. Contáctese con Servicio al cliente. | Doble [medio puente] | Canal N Dual | 100A | 100A | 1.7kV | 1.7kV | 960W | 960W | 150°C | 150°C | 1.7kV | Module | 7Pines | Perno | 1.7kV | IGBT 5 [Puerta de trinchera] | Panel | |||||
SEMIKRON | Cada | El precio no está disponible. Contáctese con Servicio al cliente. | - | Canal N | 595A | 595A | 1.7kV | 1.7kV | - | - | 175°C | 175°C | 1.1V | - | 32Pines | Encaje a Presión | 1.1V | - | Panel | |||||
