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HGTG11N120CND
IGBT Single Transistor, 43 A, 2.4 V, 298
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FabricanteONSEMI
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.350 |
| 10+ | $6.510 |
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| 50+ | $5.570 |
| 100+ | $4.980 |
| 250+ | $4.380 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark47T5082
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua43A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.4V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia298W
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.4V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
43A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
298W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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