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HGTG11N120CND
IGBT Single Transistor, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTG11N120CND
No. Parte Newark47T5082
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua43A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.4V
Disipación de Potencia298W
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
298W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Corriente del Colector Continua
43A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.4V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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