9.2A FETs de Nitruro de Galio (GaN) | Newark Electrónica México

Encuentre una amplia gama de 9.2A FETs de Nitruro de Galio (GaN) en Newark Electrónica México. Disponemos de una amplia gama de FETs de Nitruro de Galio (GaN), como 29, 11, 23 & 34A FETs de Nitruro de Galio (GaN) de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon & Renesas.

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:

9.2A

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	TP65H300G4JSGB-TR	97AK4788 Data Sheet RoHS Fecha y lote	RENESAS GAN TRANSISTOR 650V 9.2 A QFN-8		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $4.600 10+ $3.050 25+ $2.750 50+ $2.460 100+ $2.160 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	650V	9.2A	0.312ohm	3.5nC	PQFN	Surface Mount	8Pines	SuperGaN Series
	IGLR65R200D2XUMA1	20AM0171 RoHS	INFINEON Transistor de nitruro de galio (GaN) 650 V 9.2 A 0.24 ohm 1.26 nC TSON Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $2.300 10+ $1.490 25+ $1.350 50+ $1.210 100+ $1.060 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	650V	9.2A	0.24ohm	1.26nC	TSON	Surface Mount	8Pines	CoolGaN G5 Series

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