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IGLR65R200D2XUMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLR65R200D2XUMA1
No. Parte Newark20AM0171
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $2.000 |
| 25+ | $1.860 |
| 50+ | $1.730 |
| 100+ | $1.600 |
| 250+ | $1.480 |
| 500+ | $1.360 |
| 1000+ | $1.170 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.66
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLR65R200D2XUMA1
No. Parte Newark20AM0171
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id9.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.24ohm
Carga de Compuerta Típica1.26nC
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos8Pines
Rango de ProductoCoolGaN G5 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.24ohm
Diseño de Transistor
TSON
Núm. de Contactos
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
9.2A
Carga de Compuerta Típica
1.26nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN G5 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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