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SMMBFJ310LT1G
TRANSISTOR, RF, N-CH, 25V, SOT-23
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 25+ | $0.224 |
| 50+ | $0.213 |
| 100+ | $0.200 |
| 250+ | $0.197 |
| 500+ | $0.193 |
| 1000+ | $0.187 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSMMBFJ310LT1G
No. Parte Newark50AC7299
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia225mW
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Diseño de TransistorSOT-23
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Disipación de Potencia
225mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto