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2SK932-23-TB-E
TRANSISTOR, JFET, N-CH, -0.6V, SOT-23
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| 25+ | $0.387 |
| 50+ | $0.317 |
| 100+ | $0.248 |
| 250+ | $0.247 |
| 500+ | $0.245 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SK932-23-TB-E
No. Parte Newark31AC2712
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-15V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-15V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero17mA
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula10mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-600mV
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-15V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
17mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-600mV
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-15V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
10mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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