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NTZD3154NT1G.
MOSFET Dual, Doble Canal N, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3154NT1G.
No. Parte Newark26AC2770
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id540mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.55
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
540mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.55
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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