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BSS8402DW-7-F
MOSFET, N/P-CH, 60V, 0.115A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.197 |
| 6000+ | $0.193 |
| 12000+ | $0.180 |
| 18000+ | $0.173 |
| 30000+ | $0.165 |
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Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS8402DW-7-F
No. Parte Newark86AK4578
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P115mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente13.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente13.5ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
115mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
13.5ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
200mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
13.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza BSS8402DW-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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