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NCV8402ADDR2G
MOSFET Dual, Canal N, 42 V, 42 V, 2 A, 2 A, 0.165 ohm
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| 100+ | $0.755 |
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| 500+ | $0.755 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNCV8402ADDR2G
No. Parte Newark81Y6972
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N42
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P42
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds42V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.165
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.165
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.62
Disipación de Potencia de Canal P1.62
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza NCV8402ADDR2G
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
42
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
42V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.165
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.62
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
42
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.165
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.62
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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