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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R015M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK4557
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
734 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.740 |
| 10+ | $12.180 |
| 25+ | $12.010 |
| 50+ | $11.850 |
| 100+ | $11.680 |
| 250+ | $11.110 |
| 500+ | $10.550 |
| 1000+ | $9.980 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R015M2HXTMA1
No. Parte Newark97AK4557
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id115A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0132ohm
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia416W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
115A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0132ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
416W
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto