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NVH4L160N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L160N120SC1
No. Parte Newark74AH4862
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
408 En Stock
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298 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.000 |
| 10+ | $11.620 |
| 25+ | $11.380 |
| 50+ | $10.980 |
| 100+ | $10.780 |
| 250+ | $10.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVH4L160N120SC1
No. Parte Newark74AH4862
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id17.3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia111W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Disipación de Potencia
111W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
17.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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