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FF4MR12W2M1HB11BPSA1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 170A, MODULE-36
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF4MR12W2M1HB11BPSA1
No. Parte Newark86AK4998
Rango de ProductoEasyDUAL 2B CoolSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $187.370 |
| 5+ | $185.180 |
| 10+ | $183.020 |
| 25+ | $180.920 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF4MR12W2M1HB11BPSA1
No. Parte Newark86AK4998
Rango de ProductoEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id170A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4000µohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.15V
Disipación de Potencia20mW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
170A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4000µohm
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.15V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
20mW
Rango de Producto
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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