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FF2600UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF2600UXTR33T2M1BPSA1
No. Parte Newark20AM0101
Rango de ProductoXHP 2 Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF2600UXTR33T2M1BPSA1
No. Parte Newark20AM0101
Rango de ProductoXHP 2 Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id720
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0031
Diseño de TransistorModule
No. de Pines15Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.55
Disipación de Potencia20
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoXHP 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI greater than 600, Rds(on) test voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
720
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0031
No. de Pines
15Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.55
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
3.3
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
20
Rango de Producto
XHP 2 Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto