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FF2000UXTR33T2M1BPSA1
SIC MOSFET, DUAL N-CH, 3.3KV/925A/MODULE ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF2000UXTR33T2M1BPSA1
No. Parte Newark20AM4259
Rango de ProductoXHP 2 Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF2000UXTR33T2M1BPSA1
No. Parte Newark20AM4259
Rango de ProductoXHP 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id925A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds3.3kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines15Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.55V
Disipación de Potencia20mW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoXHP 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
925A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
No. de Pines
15Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.55V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
3.3kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
20mW
Rango de Producto
XHP 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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