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MOSFETs & Módulos de Carburo de Silicio (SiC):
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Configuración de Módulo MOSFET
Transistor, Polaridad
Tipo de Canal
Intensidad Drenador Continua Id
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Resistencia de Activación Rds(on)
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
No. de Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
Disipación de Potencia Pd
Disipación de Potencia
Temperatura de Trabajo Máx.
Rango de Producto
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+ $4.170 | Mín: 1/Múlt: 1 | Sencillo | Canal N | Canal N | 5 | 1.7 | 1ohm | 1.45 | TO-263 (D2PAK) | 7Pines | 20 | 5.5 | 54W | 44 | 175 | G2R Series | |||||
Cada | 1+ $317.550 5+ $307.840 10+ $298.140 25+ $290.750 | Mín: 1/Múlt: 1 | Sencillo | - | Canal N | 63 | 3.3 | - | 0.05 | TO-247 | 4Pines | 20 | 3.5 | - | 536 | 175 | G2R Series | |||||
