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G2R1000MT17J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG2R1000MT17J
No. Parte Newark89AH0973
Rango de ProductoG2R Series
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG2R1000MT17J
No. Parte Newark89AH0973
Rango de ProductoG2R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.45ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd54W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia44W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoG2R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
G2R1000MT17J is a N-Channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced rining, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.45ohm
No. de Pines
7Pines
Disipación de Potencia Pd
54W
Disipación de Potencia
44W
Rango de Producto
G2R Series
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto