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IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD70R600P7SAUMA1
No. Parte Newark16AC3358
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD70R600P7SAUMA1
No. Parte Newark16AC3358
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700
Intensidad Drenador Continua Id8.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.49ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia43.1
Disipación de Potencia Pd43.1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ P7 de 700 V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado según el principio de superjunción (SJ) y recomendado para topologías Flyback, por ejemplo, utilizadas en cargadores, adaptadores, aplicaciones de iluminación, etc.
- Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas DE Rds (activado) * Qg y Rds (activado) * Ross
- Excelente comportamiento térmico
- Diodo de protección ESD integrado
- Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
- Calificado para aplicaciones de grado estándar
- Tecnología de costo competitivo
- Baja temperatura
- Alta robustez ESD
- Permite ganancias de eficiencia a frecuencias de conmutación más altas
- Permite diseños de alta densidad de potencia y factores de forma pequeños
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700
Resistencia de Activación Rds(on)
0.49ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
43.1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
43.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD70R600P7SAUMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto