Imprimir página
IRF150P221AKMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 186 A, 0.0036 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF150P221AKMA1
No. Parte Newark38AJ3785
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Hoja de datos técnicos
74 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.570 |
| 10+ | $7.020 |
| 25+ | $5.460 |
| 50+ | $5.230 |
| 100+ | $5.000 |
| 250+ | $4.850 |
| 800+ | $4.690 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.57
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF150P221AKMA1
No. Parte Newark38AJ3785
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id186
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.6
Disipación de Potencia341
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3600µohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
341
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
186
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.6
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto