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192 MOSFETs Sencillos:
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Ingeniero
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Tipo de Canal
Transistor, Polaridad
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
Resistencia de Activación Rds(on)
Diseño de Transistor
Montaje de Transistor
Voltaje de Prueba Rds(on)
Disipación de Potencia Pd
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
Disipación de Potencia
No. de Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
Rango de Producto
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+ $1.430 10+ $1.320 100+ $1.310 500+ $1.310 1000+ $1.220 | Mín: 1/Múlt: 1 | N Channel | Canal N | 100 | 192 | 0.0042ohm | 0.0035ohm | TO-220AB | Through Hole | 10 | 441W | 4 | 441 | 3Pines | 175 | StrongIRFET, HEXFET | |||||
1+ $5.470 10+ $4.190 25+ $3.880 | Mín: 1/Múlt: 1 Mín: 100/Múlt: 1 | N Channel | 0 | 100 | 192 | 0.0027 | 0 | TDSON-FL | Surface Mount | 10 | 0 | 2.8 | 217 | 8Pines | 175 | OptiMOS 6 Series | ||||||
