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IRF100B201
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF100B201
No. Parte Newark12AC9745
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF100B201
No. Parte Newark12AC9745
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id192
Resistencia de Activación Rds(on)0.0035ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd441W
Disipación de Potencia441
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de potencia redundantes y de operación O Inversores AC, convertidores CD/CD y CA/CD.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0035ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
441W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
192
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
441
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto