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PSMN7R0-30MLC,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 67 A, 0.00605 ohm, SOT-1210, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN7R0-30MLC,115
No. Parte Newark05W5735
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN7R0-30MLC,115
No. Parte Newark05W5735
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id67
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00605
Resistencia de Activación Rds(on)0.00605ohm
Diseño de TransistorSOT-1210
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd57W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia57
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
67
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00605ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
57
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00605
Diseño de Transistor
SOT-1210
Disipación de Potencia Pd
57W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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