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2N6659-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 35 V, 1.4 A, 1.3 ohm, TO-205AD, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N6659-E3
No. Parte Newark06J8888
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds35V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.3ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd6.25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Diseño de TransistorTO-205AD
Disipación de Potencia6.25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
35V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-205AD
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
1.3ohm
Disipación de Potencia Pd
6.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Disipación de Potencia
6.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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