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NSS1C200MZ4T1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 4000+ | $0.235 |
| 6000+ | $0.217 |
| 10000+ | $0.209 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSS1C200MZ4T1G
No. Parte Newark01P0143
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor100
Corriente de Colector DC2A
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia2
Disipación de Potencia Pd2W
Ganancia de Corriente DC hFE150hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Diseño de TransistorSOT-223
Frecuencia de Transición120
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.150
Temperatura de Trabajo Máx.155
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia Pd
2W
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
150
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
2A
Disipación de Potencia
2
Ganancia de Corriente DC hFE
150hFE
No. de Pines
4Pines
Frecuencia de Transición
120
Temperatura de Trabajo Máx.
155
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Alternativas para el número de pieza NSS1C200MZ4T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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