DRAM

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Mín./Máx. Fabricante
Mín./Máx. Tipo de DRAM
Mín./Máx. Densidad de DRAM
Mín./Máx. Configuración Memoria DRAM
Mín./Máx. Frecuencia de Reloj
Mín./Máx. Memoria, Tipo
Mín./Máx. Núm. de Contactos
Mín./Máx. Tensión de Alimentación Nom.
Mín./Máx. Tiempo de Acceso
Mín./Máx. Temperatura de Trabajo Mín.
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Tipo de DRAM Densidad de DRAM Configuración Memoria DRAM Frecuencia de Reloj Memoria, Tipo Núm. de Contactos Tensión de Alimentación Nom. Tiempo de Acceso Temperatura de Trabajo Mín. Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D - DRAM, LPDDR2, 512 Mbit, 16M x 32bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pines

80AH6053

DRAM, LPDDR2, 512 Mbit, 16M x 32bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pines

MICRON

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Each

Producto restringido
LPDDR2 512Mbit 16M x 32bit 533MHz VFBGA 134Pines 1.2V 1.875ns -40°C 105°C -
MT53E128M16D1DS-053 WT:A
MT53E128M16D1DS-053 WT:A - DRAM, LPDDR4, 2 Gbit, 128M x 16bit, -999 MHz, VFBGA, 200 Pines

80AH8301

DRAM, LPDDR4, 2 Gbit, 128M x 16bit, -999 MHz, VFBGA, 200 Pines

MICRON

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Each

Producto restringido
LPDDR4 2Gbit 128M x 16bit - VFBGA 200Pines - - -20°C 85°C -
MT52L256M64D2PP-107 WT:B
MT52L256M64D2PP-107 WT:B - DRAM, LPDDR3, 16 Gbit, 256M x 64bit, 933 MHz, VFBGA, 253 Pines

80AH8188

DRAM, LPDDR3, 16 Gbit, 256M x 64bit, 933 MHz, VFBGA, 253 Pines

MICRON

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Each

Producto restringido
LPDDR3 16Gbit 256M x 64bit 933MHz VFBGA 253Pines 1.2V 1.07ns -30°C 85°C -