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2N7002T-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 800 mA, 7.5 ohm, SOT-523, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.389 |
| 10+ | $0.241 |
| 25+ | $0.212 |
| 50+ | $0.182 |
| 100+ | $0.153 |
| 250+ | $0.136 |
| 500+ | $0.119 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002T-7-F
No. Parte Newark25R5682
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13.5ohm
Diseño de TransistorSOT-523
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd150mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2N7002T-7-F es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Paquete ultra pequeño de montaje en superficie
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-523
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
800
Resistencia de Activación Rds(on)
13.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
150mW
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002T-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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