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BC857C-7-F
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBC857C-7-F
No. Parte Newark51R6406
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo45V
Voltaje Máx. Colector a Emisor45V
Corriente del Colector Continua100mA
Corriente de Colector DC100mA
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300mW
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE600hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición200MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.600hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
45V
Corriente de Colector DC
100mA
Disipación de Potencia
300mW
Ganancia de Corriente DC hFE
600hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
600hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
45V
Corriente del Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia Pd
300mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
200MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BC857C-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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