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BSS138DWQ-13
MOSFET, N-CH, 50V, 0.2A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.539 |
| 10+ | $0.345 |
| 25+ | $0.307 |
| 50+ | $0.270 |
| 100+ | $0.233 |
| 250+ | $0.209 |
| 500+ | $0.184 |
| 1000+ | $0.164 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138DWQ-13
No. Parte Newark28AK6533
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N200mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P200mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1.4ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
200mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1.4ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
200mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
200mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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