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BSS84W-7-F
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $0.169 |
| 25+ | $0.157 |
| 50+ | $0.146 |
| 100+ | $0.135 |
| 250+ | $0.130 |
| 500+ | $0.126 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS84W-7-F
No. Parte Newark25R4432
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Resistencia de Activación Rds(on)10ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BSS84W-7-F es un FET de modo de mejora de canal P con carcasa de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 puntas de plomo según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
10ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84W-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto