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BSS84WQ-7-F
MOSFET, P-CH, 50V, 0.164A, SOT-323 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.164 |
| 10+ | $0.110 |
| 25+ | $0.097 |
| 50+ | $0.086 |
| 100+ | $0.073 |
| 250+ | $0.066 |
| 500+ | $0.058 |
| 1000+ | $0.048 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS84WQ-7-F
No. Parte Newark28AK6541
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id164mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.1ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
164mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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